Оперативная память - Samsung DDR4 2666, CL19, ECC SO-DIMM 16Gb / M474A2K43BB1-CTDQ
Артикул: M474A2K43BB1-CTD
Цена: 6490 руб.
Есть в наличии
Технические характеристики
| Производитель: | Samsung |
|---|---|
| Артикул производителя: | M474A2K43BB1-CTDQ |
| Тип памяти: | DDR4 |
| Форм-фактор: | SODIMM 260-контактный |
| Тактовая частота: | 2666 МГц |
| Пропускная способность: | 21300 МБ/с |
| Объем: | модуль 16 ГБ |
| Особенности: | Поддержка ECC |
| Буферизованная (Registered): | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile): | нет |
| CAS Latency (CL): | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD): | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP): | 19 |
| Компоновка чипов: | двусторонняя упаковка |
| Напряжение питания: | 1.2 В |
| Количество банков: | 1 |
| Рабочая температура: | 0°C ~ 85°C |
Описание
Модуль памяти - Samsung DDR4 2666, CL19, ECC SO-DIMM 16Gb / M474A2K43BB1-CTD, предназначен для установки в материнские платы, серверное оборудование, системы хранения, рабочие станции, ноутбуки и мини компьютеры с разьемом SO-DIMM. Оперативная память обладает высокой степенью надежности в нагруженных системах хранения данных, отказоустойчивых системах с режимами работы 24/7. Используется в графических станциях с большими массивами данных.
Общие характеристики
- Тип памяти: DDR4
- Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота: 2666 МГц
- Пропускная способность: 21300 МБ/с
- Объем: модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC: Да
- Буферизованная (Registered): нет
- Низкопрофильная (Low Profile): нет
Тайминги
- CAS Latency (CL): 19
- RAS to CAS Delay (tRCD): 19
- Row Precharge Delay (tRP): 19
- Особенности: Поддержка ECC
- Компоновка чипов: двусторонняя упаковка
- Напряжение питания: 1.2 В
- Количество банков: 1